Потенцiальне розсiювання електрона на атомi фосфору

Автор(и)

  • V. I. Kelemen Institute of Electron Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • M. M. Dovhanych Institute of Electron Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • E. Yu. Remeta Institute of Electron Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe59.06.0569

Ключові слова:

оптичний потенцiал, спiн-поляризований, асиметрiя, диференцiальний перерiз, iнтегральний перерiз, фазовий зсув, парцiальний перерiз, критичний мiнiмум, мiнiмум Рамзауера–Таунсенда

Анотація

Вперше теоретично дослiджено пружне розсiювання електронiв на атомах фосфору в областi енергiй зiткнень 0,01–200 еВ. Iнтегральнi i диференцiальнi перерiзи розраховано у спiн-поляризованому наближеннi безпараметричного дiйсного оптичного потенцiалу. Повна та спiновi електроннi густини, електростатичний i спiновi обмiннi i кореляцiйно-поляризацiйнi потенцiали атома фосфору знайдено у наближеннi локальної спiнової густини теорiї функцiонала густини. Застосовуючи рiзнi наближення детально вивчено особливостi низькоенергетичної, до 10 еВ, поведiнки iнтегральних перерiзiв, якi порiвняно з даними для сусiднiх атомiв сiрки, хлору та аргону. Спiнова обмiнна асиметрiя розсiювання електронiв на атомi фосфору, з напiвзаповненою валентною 3p3 -пiдоболонкою, дослiджена з врахуванням залежностi вiд спiну обмiнної та поляризацiйної взаємодiй.

Посилання

-

Опубліковано

2018-10-23

Як цитувати

Kelemen, V. I., Dovhanych, M. M., & Remeta, E. Y. (2018). Потенцiальне розсiювання електрона на атомi фосфору. Український фізичний журнал, 59(6), 569. https://doi.org/10.15407/ujpe59.06.0569

Номер

Розділ

Архів