Вплив анiзотропiї та тиску на пружнi і механiчнi властивостi нiтриду бору (B3)
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe59.04.0418Ключові слова:
(B3) BN compound, elastic and mechanical properties, pressure and anisotropy effect, stability criteriaАнотація
Представлено результати розрахункiв з перших принципiв впливу анiзотропiї та тиску на пружнi i механiчнi власти-востi нiтриду бору (B3) в рамках теорiї збурень функцiо-нала густини. Отримано незалежнi константи пружностi i податливостi, об’ємний модуль, модуль зсуву, параметр анзотропiї Зенера, параметр Клейнмана, коефiцiєнти Кошi i Борна, модуль Юнга i коефiцiєнт Пуассона для напрямiв в основних кристалографiчних площинах при впливi тиску. Дослiджено залежностi густини кристала, поздовжньої, по-перечної i середньої швидкостей звуку i температури Дебая вiд тиску. При вивченнi критерiїв стабiльностi виявлено фа-зовий перехiд при тиску близько 4,54 Мбар з фази сфале-рита в фазу кам’яної солi в доброму узгодженнi з теоре-тичними даними з лiтератури i в суперечностi з деякими iншими результатами.
Посилання
M.J. Weber, Handbook of Optical Materials (CRC Press, Boca Raton, 2003).
W.J. Tropf, M.F. Thomas, and T.J. Harris, Properties of Crystals and Glasses, Handbook of Optics (McGraw-Hill, New York, 2004), Vol. IV.
R.H. Wentorf, J. Chem. Phys. 26, 956 (1957).
https://doi.org/10.1063/1.1745964
Z.Y. Mijbil, J. of Bababylon Univ. 18, 1686 (2010).
F. El Haj Hassan, H. Akbarzadeh, and M. Zoaeter, J. Phys. Condens.-Mat. 16, 293 (2004).
N.E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.4397
S. Cui, W. Feng, H. Hu, and Z. Feng, Central Eur. J. Phys. 8, 628 (2009).
A. Zaoui and F. El Haj Hassan, J. Phys. Condens.-Mat. 13, 253 (2001).
S. Saib and N. Bouarissa, J. Alloy. Compd. 448, 11 (2008).
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2006.10.023
I. Gorczyca and N.E. Christensen, Physica B 185, 410 (1993).
https://doi.org/10.1016/0921-4526(93)90270-G
Haneen Yousef Saeed Shalash, Thesis of Master of Science, An-Najah-National University (Palestine, 2009).
F. EL Haj Hassan, These de Doctorat, Universite de Metz (France, 2000).
R.M. Wentzcovitch, M.L. Cohen, and P.K. Lam, Phys. Rev. B 36, 6058 (1987).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.6058
W. Sekkal, B. Bouhafs, H. Aourag, and M. Certier, J. Phys: Condens. Matter 10, 4975 (1998).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/10/23/006
Z.Y. Mijbil, Chem. Mater. Res. 2(4), 30 (2012).
N. de Koker, J. Phys: Condens. Matter 24, 055401 (2012).
https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/5/055401
S. Baroni, P. Giannozzi, and A. Testa, Phys. Rev. 58, 1861 (1987).
P. Giannozzi, S. de Gironcoli, P. Pavone, and S. Baroni, Phys. Rev. B 43, 7231 (1991).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.7231
X. Gonze, J.M. Beuken, R. Caracas et al., Comp. Mat. Sci. 25, 478 (2002).
https://doi.org/10.1016/S0927-0256(02)00325-7
X. Gonze, G.M. Rignanese, M. Verstraete et al., Zeit. Kristallogr. 220, 558 (2005).
S. Goedecker, SIAM J. Sci. Comput. 18, 1605 (1997).
https://doi.org/10.1137/S1064827595281940
J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865
N. Troullier and J.L. Martins, Phys. Rev. B 43, 1993 (1991).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.1993
H.J. Monkhorst and J.D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5189 (1976).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.13.5188
S. Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds (Wiley, New York, 1992).
https://doi.org/10.1002/352760281X
O.H. Nielsen and R.M. Martin, Phys. Rev. B 32, 3792 (1985).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.3792
D.R. Hamman, X. Wu, K.M. Rabe, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 71, 035117 (2005).
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.035117
A. Benamrani, K. Kassali, and Kh. Bouamama, High Pressure Res. 30 (1), 207 (2010).
https://doi.org/10.1080/08957950903461301
S. Singh and M. Sarwan, J. Optoelectron. Adv. M. 12 (10), 2106 (2010).
J. W ang and S.Yip, Phys. Rev. Lett. 71, 4182 (1993).
K. Bouamama, N. Lebgaa, and K. Kassali, High Pressure Res. 25, 217 (2005).
https://doi.org/10.1080/08957950500259041
S. Daoud, K. Loucif, N. Bioud, N. Lebgaa, and L. Belagraa, Pramana J. Phys. 79, 95 (2012).
M. Born and K. Huang, Dynamical Theory of Crystal Lattices (Clarendon, Oxford, 1954).
E. Wigner, Trans. Faraday Soc. 34, 678 (1938).
https://doi.org/10.1039/tf9383400678
G.J. Ackland, Rep. Progr. Phys. 64, 483 (2001);
https://doi.org/10.1088/0034-4885/64/4/202
G.J. Ackland, High Pressure Phases of Group IV and III-V Semiconductors (Univ. of Edinburgh, Edinburgh, 1992).
H. Zhao, A. Chang, and Y. Wang, Physica B 404, 2192 (2009).
https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.04.011
L. Bing, L.R. Feng, Y. Yong, and Y.X. Dong, Chin. Phys. B 19, 076201 (2010).
https://doi.org/10.1088/1674-1056/19/7/076201
Z. Charifi, H. Baaziz, Y. Saeed, Ali Hussain Reshak, and F. Soltani, Phys. Status Solidi B 249, 18 (2012).
https://doi.org/10.1002/pssb.201147216
R.E. Newnham, Properties of Materials: Anisotropy, Symmetry, Structure (Oxford Univ. Press, USA, 2005).
W.A. Brantley, J. Appl. Phys. 44, 534 (1973).
https://doi.org/10.1063/1.1661935
M.A. Hopcroft, W.D. Nix, and T.W. Kenny, J. Microelectromech. S 19, 229 (2010).
J.F. Nye, Physical Properties of Crystals: Their Representation by Tensors and Matrices (Oxford Univ. Press, Oxford, 1985).
H. Siethoff and K. Ahlborn, Phys. Status Solidi B 190, 179 (1995).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
