Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe58.10.0968Ключові слова:
пленки гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода, пленки нанокристаллического кремния, плазмохимический метод, кристаллит, к.п.д. солнечного элементаАнотація
В работе рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (a-Si1 xСx:Н) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n–i–p- и двойным n–i–p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiС/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiС:Н и использовался в качестве “окна”, и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольт-амперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n–i–p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см2 площади элементов 1 см2 составляет 11,5%.
Посилання
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties, edited by J.D. Joannopoulos and G. Lukovsky (Springer, Berlin, 1984).
V.P. Afanasyev, A.S. Gudovskikh, V.N. Nevedomskii, and A.P. Sazonov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 238 (2003).
B.A. Najafov and V.R. Figarov, Int. J. Hydrog. Ener. 35, 4361 (2010).
https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2010.02.061
H. Colder, R. Rizk, M. Moralles, P. Marie et al., J. Appl. Phys. 98, 543 (2005).
https://doi.org/10.1063/1.1985975
H. Zhihua, L. Xianbo, D. Hongwei, C. Shibin, Z. Yi, F. Elvira, and M. Rodrigo, J. Non-Cryst. Solids 352, 1900 (2006).
https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.010
B. Francesco and F. Enza, Thin Solid Films 33, 34 (2003).
M.G. Park, W.S. Choi, B. Hong, Y.T. Kim et al., J. Vac. Sci. Technol. A 20, 861 (2002).
https://doi.org/10.1116/1.1472416
B.A. Najafov and G.I. Isakov, Alternat. Energet. Ekolog. 24, 79 (2005).
B.A. Najafov, in Proceedings of the 2-nd Republican Conference on Actual Problems in Physics (Baku, Azerbaijan, 2008), p. 46 (in Russian).
M. Cardona, Phys. Status Solidi B 118, 463 (1983).
https://doi.org/10.1002/pssb.2221180202
B.A. Najafov, Alternat. Energet. Ekolog. 11, 174 (2007).
D.J. Staebler, R.S. Crandall, and R. Willams, Appl. Phys. Lett. 39, 733 (1981).
https://doi.org/10.1063/1.92865
Amorphous Semiconductors, edited by M.H. Brodsky (Springer, Berlin, 1979).
B.A. Najafov and V.R. Figarov, Int. J. Sustain. Ener. 26, No. 4, 7 (2007).
B.A. Najafov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 34, 1383 (2000).
A. Madan and M. Shaw, The Physics and Applications of Amorphous Semiconductors (Boston, Academic Press, 1988).
B.A. Najafov and G.I. Isakov, Neorg. Mater. 45, 711 (2009).
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
