Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

Автор(и)

  • D. V. Gamov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. I. Gudymenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Kladko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Melnik V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • O. S. Oberemok V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • Yu. O. Polishchuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • B. M. Romaniuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Nasekа V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0881

Ключові слова:

кремнiй, гетерування, залiзо, дефекти, час життя, рентгенiвська дифрактометрiя, мас-спектрометрiя

Анотація

Проведено порiвняльнi дослiдження процесiв дефектоутворення та змiни часу життя неосновних нерiвноважних носiїв заряду у кремнiї при гетеруваннi домiшки залiза комбiнованим гетером “шар поруватого кремнiю + плiвка алюмiнiю”. Показано, що в процесi вiдпалу зразкiв без гетерного шару в iмплантованiй областi формуються силiцид залiза i дефекти вакансiйного типу, внаслiдок чого спостерiгається сильне зниження
часу життя нерiвноважних неосновних носiїв заряду. Проведено дослiдження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення i перерозподiлу атомiв залiза, iмплантованих в кремнiй, у випадку їх високих концентрацiй в приповерхневiй областi. Показано, що наявнiсть гетерного шару зменшує ефективнiсть силiцидоутворення в iмплантованiй областi i збiльшує концентрацiю мiжвузлових дефектiв в кремнiї. Запропоновано фiзичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрацiї атомiв залiза в iмплантованiй областi за рахунок гетерування i зменшення концентрацiї вакансiйних дефектiв, а також одночасне зростання концентрацiї дефектiв мiжвузлового типу, якi пов’язанi з формуванням комплексiв залiза з атомами бору. Саме цi комплекси є рекомбiнацiйно-активними i не дозволяють вiдновити час життя носiїв заряду до вихiдного значення.

Посилання

<ol>

<li> A.A. Istratov, H. Hieslmair, and E.R. Weber, Appl. Phys. A 70, 489 (2000).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1007/s003390051074">https://doi.org/10.1007/s003390051074</a>
</li>
<li> D. Macdonald and L. Geerligs, Appl. Phys. Lett. 85, 4061 (2004).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.1812833">https://doi.org/10.1063/1.1812833</a>
</li>
<li> K. Schmalz, F. Kirscht, S. Nieze et al., Phys. Status Solidi A 100, 69 (1987).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pssa.2211000108">https://doi.org/10.1002/pssa.2211000108</a>
</li>
<li> G. Zoth and W. Berholz, J. Appl. Phys, 67, 676 (1990).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.345063">https://doi.org/10.1063/1.345063</a>
</li>
<li> A.A. Istratov, H. Hieslmair, and E.R. Weber, Appl. Phys. 69, 13 (1999).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1007/s003390050968">https://doi.org/10.1007/s003390050968</a>
</li>
<li> K.D. Glinchuk and N.M. Litovchenko, Optoelektron. Poluprovodn. Tekhn. Obzory 21, 47 (1991).
</li>
<li> V. Vahanissi, A. Haarahiltunen, H. Talvitie, M. YliKoski, and H. Savin, Prog. Photovolt. Res. Appl., (2012).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pip.2215">https://doi.org/10.1002/pip.2215</a>
</li>
<li> A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, A.S. Oberemok et al., Semicond. Phys. Quant. Electr. Optoelectr. 4, 278 (2001).
</li>
<li> T.E. Seidel, R.L. Meek, and A.G. Cullis, J. Appl. Phys. 46 (1975).
</li>
<li> S.M. Joshi, U.M. Gosele, and T.Y. Tan, J. Appl. Phys. 77, 3858 (1995).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.358563">https://doi.org/10.1063/1.358563</a>
</li>
<li> S.G. Volkov, A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko et al., Ukr. Fiz. Zh. 47, 684 (2002).
</li>
<li> V.G. Litovchenko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov et al., Metallofiz. Noveish. Tekhnol. 33, 873 (2011).
</li>
<li> A.M. Goodman, J. Appl. Phys. 32, 2550 (1961).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.1728351">https://doi.org/10.1063/1.1728351</a>
</li>
<li> V.G. Litovchenko, I.P. Lisovskyy, C. Claeys, V.P. Kladko, S.O. Zlobin, M.V. Muravska, O.O. Efremov, and M.V. Slobodjan, Solid State Phenom. 405, 131 (2008).
</li>
<li> O.M. Yefanov and V.P. Kladko, Metallofiz. Noveish. Tekhnol. 28, 227 (2006).
</li>
<li> V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, and B.V. Sheludchenko, Phys. Status Solidi A 206, 1761 (2009).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pssa.200881588">https://doi.org/10.1002/pssa.200881588</a>
</li>
<li> V.P. Kladko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, and Z.V. Maksimenko, J. Phys. D 34, A87 (2001).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/10A/318">https://doi.org/10.1088/0022-3727/34/10A/318</a>
</li>
<li> V.G. Litovchenko, V.M. Naseka, and A.A. Evtukh, Ukr. Fiz. Zh. 57, 76 (2012).
</li>
<li> A. Sarikov, V. Litovchenko, I. Lisovskyy et al., J. Electrochem. Soc. 158, H772 (2011).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1149/1.3594724">https://doi.org/10.1149/1.3594724</a>
</li>

</ol>

Опубліковано

2018-10-11

Як цитувати

Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Y. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., & Nasekа V. M. (2018). Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза. Український фізичний журнал, 58(9), 881. https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0881

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>