Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe58.09.0872Ключові слова:
iонна iмплантацiя, наноструктуювання, напiвпровiдникова структураАнотація
Представлено результати систематичних дослiджень структурних, оптичних та електричних властивостей напiвпровiдникових гетероструктур n-
CdxHg1 xTe/CdZnTe (x = 0,223) до та пiсля опромiнення iонами B+ та Ag+ (100 кeВ, доза iмплантацiї Q = 3 x 10^13 cm^-2). Здiйснено математичне моделювання процесу iонної iмплантацiї iз застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результатi опромiнення на поверхнi дослiджуваних зразкiв вiдбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневiй областi – шару з вiдмiнними вiд матрицi оптичними характеристиками. В результатi iмплантацiї епiтаксiйних шарiв CdxHg1 xTe iонами бору та срiбла з однаковою енергiєю та дозою утворюється суттєво вiдмiнний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механiчними напруженнями, що вiдрiзняються на два порядки величини. Отримано значення коефiцiєнта стискання кристалiчної ґратки та механiчних напружень макс в областi радiацiйного розупорядкування твердого розчину. Обговорюється роль механiчних напружень легованого шару у перерозподiлi дефектiв i формуваннi постiмплантацiйних властивостей Cd0;223Hg0;777Te.
Посилання
<li> D. Paul, Semicond. Sci. Technol. 19, 75 (2004).
<a href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/10/R02">https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/10/R02</a>
</li>
<li> A.A. Orouji and M.J. Kumar, Superlatt. Microstruct. 39, 395 (2006).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.spmi.2005.08.020">https://doi.org/10.1016/j.spmi.2005.08.02</a>
</li>
<li> A.D. Bondarev, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov et al., Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 24, 46 (1998).
</li>
<li> M.S. Kagan, I.V. Altukhov, E.G. Chirkova, V.P. Sinis, R.T. Troeger, S.K. Ray, and J. Kolodzey, Phys. Status Solidi B 235, 135 (2003).
<a href="https://doi.org/10.1002/pssb.200301536">https://doi.org/10.1002/pssb.200301536</a>
</li>
<li> V.Ya. Prinz, Physica E 24, 54 (2004).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.physe.2004.04.024">https://doi.org/10.1016/j.physe.2004.04.024</a>
</li>
<li> W.B. Li, E.X. Zhang, M. Chen, N. Li, G.Q. Zhang, and Z.L. Liu, Semicond. Sci. Technol. 19, 571 (2004).
<a href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/5/003">https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/5/003</a>
</li>
<li> A.B. Smirnov, Semicond. Phys. Quant. Electr. Optoelectr. 15, 170 (2012).
<a href="https://doi.org/10.15407/spqeo15.02.170">https://doi.org/10.15407/spqeo15.02.170</a>
</li>
<li> T. Kryshtab, R. Savkina, F. Sizov, A. Smirnov, M. Kladkevich, and V. Samoylov, Phys. Status Solidi C 9, 1793 (2012).
<a href="https://doi.org/10.1002/pssc.201100608">https://doi.org/10.1002/pssc.201100608</a>
</li>
<li> F.F. Sizov, Photoelectronics for Vision Systems in Invisible Spectral Intervals (Akademperiodika, Kyiv, 2008) (in Russian).
</li>
<li> A.B. Smirnov, R.K. Savkina, R.S. Udovitskaya, A.Z. Evmenova, and F.F. Sizov, Sensor Electr. Microsyst. Technol. 3, N 9, 62 (2012).
</li>
<li> A. Rogalski, Infrared Detectors (CRC Press, Boca Raton, 2010).
</li>
<li> V.V. Tetyorkin, Z.F. Icasiv, and F.F. Sizov, Ukr. Fiz. Zh. 44, 1128 (1999).
</li>
<li> F.F. Sizov, N.I. Klyui, A.N. Luk'yanov, R.K. Savkina, A.B. Smirnov, and A.Z. Evmenova, Techn. Phys. Lett. 34, 377 (2008).
<a href="https://doi.org/10.1134/S1063785008050052">https://doi.org/10.1134/S1063785008050052</a>
</li>
<li> M.I. Ibragimova, V.Yu. Petukhov, and I.B. Khaibullin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 560 (1993).
</li>
<li> R.K. Savkina, A.B. Smirnov, and F.F. Sizov, Semicond. Sci. Technol. 22, 97 (2007).
<a href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/2/016">https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/2/016</a>
</li>
<li> Z.B. Stoinov, B.M. Grafov, B. Savova-Stoinova, and V.V. Elkin, Electrochemical Impedance (Nauka, Moscow, 1991) (in Russian).
</li>
<li> Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications, edited by P. Capper and J.W. Garland (Wiley, London, 2011).
</li>
<li> K.D. Mynbaev and V.I. Ivanov-Omskiy, Semiconductors 40, 1 (2006).
<a href="https://doi.org/10.1134/S1063782606010015">https://doi.org/10.1134/S1063782606010015</a>
</li>
<li> L.S. Smirnov, Problems of Semiconductor Radiation Technology (Nauka, Novosibirsk, 1980) (in Russian).
</li>
<li> V.G. Litovchenko and B.N. Romanyuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 1, 150 (1983).
</li>
<li> V.A. Uskov, A.A. Krasnov, and V.A. Ivanov, in Proceedings of the 6-th All-Union Conference on Gallium Arsenide Researches (Tomsk, 1987), Vol. 2, p. 134 (in Russian).
</li>
<li> P.N. Krylov and A.A. Lebedev, Vestn. Udmursk. Univ. 4, 29 (2006).
</li>
<li> P.N. Krylov, Yu.V. Rats, and A.L. Sterkhov, Vestn. Nizhegorod. Gos. Univ. Ser. Fiz. Tverd. Tela 2, 79 (1998).
</li>
<li> V.B. Lazarev, Physical and Chemical Properties of Semiconductor Substances (Nauka, Moscow, 1979) (in Russian).
</li>
<li> S. Holander-Gleixner, B.L. Williams, H.G. Robinson, and C.R. Helms, J. Electron. Mater. 71, 692 (1997).
</li>
<li> A. Cerutti and C. Ghezzi, Phys. Status Solidi A 17, 273 (1973).
<a href="https://doi.org/10.1002/pssa.2210170127">https://doi.org/10.1002/pssa.2210170127</a>
</li>
<li> H. Ebe, M. Tanaka, and Y. Miyamoto, J. Electron. Mater. 28, 854 (1999).
<a href="https://doi.org/10.1007/s11664-999-0083-1">https://doi.org/10.1007/s11664-999-0083-1</a>
</li>
<li> R.A. Lidin, L.L. Andreeva, and V.A. Molochko, Constants of Inorganic Substances (Begell House, New York, 1995).
</li>
<li> C.R. Helms, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1178 (1990).
<a href="https://doi.org/10.1116/1.576940">https://doi.org/10.1116/1.576940</a>
</li>
<li> L.S. Palatnik, P.G. Cheremskoi, and M.Ya. Fuks, Pores in Films (Energoizdat, Moscow, 1982) (in Russian).
</li>
<li> A. Meldrum, R. Lopez, R.H. Magruder et al., Appl. Phys. 116, 255 (2010).
</li>
<li> J.D. Benson, J.B. Varesi, A.J. Stoltz, E.P.G. Smith, S.M. Johnson et al., J. Electron. Mater. 35, 1434 (2006).
<a href="https://doi.org/10.1007/s11664-006-0280-0">https://doi.org/10.1007/s11664-006-0280-0</a>
</li>
<li> E.V. Stukova, A.Yu. Milinskii, and V.V. Maslov, Izv. Ross. Gos. Pedagog. Univ. 95, 58 (2009).
</li>
</ol>
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
