Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм

Автор(и)

  • Sh. A. Mirsagatov Physical and Technical Institute, Scientific Production Association “Physics–Sun”, Uzbek Academy of Sciences
  • B. N. Zaveryukhin Physical and Technical Institute, Scientific Production Association “Physics–Sun”, Uzbek Academy of Sciences
  • O. K. Ataboev Berdakh Karakalpak State University
  • N. N. Zaveryukhina Physical and Technical Institute, Scientific Production Association “Physics–Sun”, Uzbek Academy of Sciences

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.05.0465

Ключові слова:

инжекционные фотоприемники, фототок, барьер Шоттки

Анотація

Созданы и исследованы пленочные инжекционные фотоприемники (ПИФП) на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона л = 0,5–0,65 мкм. Чувствительная область ПИФП сформирована в виде сэндвича из пленок переменного состава и с разными ширинами запрещенных зон. Механизм работы ПИФП основан на селективном поглощении спектра излучения пленками и преобразовании его в электрический сигнал. ПИФП имеют внутреннее усиление фототока и эффективно регистрируют слабые оптические сигналы при освещенности E < 1 лк и T = 300 K. Интегральная чувствительность ПИФП Sint = 75 A/лм (= 8x10^3 A/Вт).

Посилання

<ol>
<li> I.M. Vikulin, Sh.D. Kurmashev, and V.I. Stafeev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 113 (2008).</li>
<li> Sh.A. Mirsagatov and A.K. Uteniyazov, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 38, No. 1, 70 (2012).</li>
<li> N.V. Parol and S.A. Kaidalov, Photosensitive Devices and Their Application (Radio i Svyaz, Moscow, 1991) (in Russian).</li>
<li> Semiconductors and Semimetals. Vol. 3. Optical Properties of III-V Compounds, edited by R.K. Willardson and A.C. Beer (Academic Press, New York, 1967).</li>
<li> E.B. Zaveryukhina, and B.N. Zaveryukhin, N.N. Zaveryukhina, Pis'ma Zh. Tekhn. Fiz. 33, No. 9, 1 (2007).</li>
<li> Sh.A. Alimov, V.V. Losev, B.M. Orlov, and V.I. Stafeev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10, 1830 (1976).</li>
<li> K. Zanio, Semiconductors and Semimetals (Academic Press, New York, 1978).</li>
<li> S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).</li>
<li> S.E. Frish, Optical Measurement Methods. Part 1: Light Flux and Its Measurement; Light Sources (Leningrad University Publ. House, Leningrad, 1976) (in Russian).</li>
<li> A. Ambroziak, Konstrukcja i Technologia Przyrzadow Fotoelektrycznych (Wyd. Nauk.-Techn., Warszawa, 1967).</li>
</ol>

Опубліковано

2018-10-06

Як цитувати

Mirsagatov, S. A., Zaveryukhin, B. N., Ataboev, O. K., & Zaveryukhina, N. N. (2018). Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм. Український фізичний журнал, 58(5), 465. https://doi.org/10.15407/ujpe58.05.0465

Номер

Розділ

Тверде тіло