Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром

Автор(и)

  • A. V. Sachenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. P. Kostylyov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Litovchenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. G. Popov V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • B. M. Romanyuk V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. V. Chernenko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. M. Naseka V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • T. V. Slusar National Aviation University
  • S. I. Kyrylova V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • F. F. Komarov A.N. Sevchenko Institute for Applied Physical Problems, Belarusian State University

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0142

Ключові слова:

surface photovoltage, surface recombination, silicon

Анотація

Експериментально та теоретично дослiджено спектральнi залежностi малосигнальної конденсаторної фото-ерс Vf (л) з дiлянкою короткохвильового спаду. Показано, що в короткохвильовiй областi спектра залежностi Vf (л) дозволяють отримати з використанням експериментально неруйнiвного методу важливу iнформацiю про змiну рекомбiнацiйних властивостей поверхнi та об’єму фоточутливого кремнiєвого матерiалу. Встановлено, зокрема, що створення порушеного приповерхневого шару за рахунок iмплантацiї залiза приводить як до сильного зменшення об’ємної довжини дифузiї (тобто часу життя) в iмплантованому шарi, так i до зростання ефективної швидкостi поверхневої рекомбiнацiї на освiтлюванiй поверхнi.

Посилання

<ol>
<li> W. Gartner, Phys. Rev. 105, 823 (1997).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRev.105.823">CrossRef</a></li>
<li> V.A. Zuev and V.G. Litovchenko, Phys. Status Solidi A 16, 175 (1966).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pssb.19660160242">CrossRef</a></li>
<li> V.A. Zuev and V.G. Litovchenko, Surf. Sci. 32, 365 (1972).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/0039-6028(72)90166-5">CrossRef</a></li>
<li> L. Kronik and Y. Shapira, Surf. Sci. Rep. 37, 1 (1999).&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/S0167-5729(99)00002-3">CrossRef</a></li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, V.G. Litovchenko, A.V. Sachenko, and O.V. Snitko, Ukr. Fiz. Zh. 34, 404 (1989).</li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba, and V.V. Chernenko, Optoelektron. Poluprovodn. Tekhn. 37, 61 (2002).</li>
<li> A.P. Gorban', V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, O.A. Serba, I.O. Sokolovskyi, and V.V. Chernenko, Ukr. Fiz. Zh. 55, 784 (2010).</li>
<li> V.V. Antoshchuk, V.V. Milenin, V.E. Primachenko, and O.V. Snitko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 11, 2002 (1977).</li>
<li> V.G. Litovchenko and A.P. Gorban', Fundamentals of Microelectronic Metal–Insulator–Semiconductor Systems (Naukova Dumka, Kyiv, 1978) (in Russian).</li>
<li> A.V. Sachenko and O.V. Snitko, Photo-Effects in Near-Surface Layers of Semiconductors (Naukova Dumka, Kyiv, 1984) (in Russian).</li>
<li> A.L. Fahrenbruch and R.H. Bube, Fundamentals of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion (Academic Press, New York, 1983).</li>
<li> K.D. Glinchuk and N.M. Litovchenko, Poluprovodn. Tekhn. Mikroelektron. 28, 4 (1978).</li>
<li> V.G. Litovchenko, V.M. Naseka, and A.A. Evtukh, Ukr. J. Phys. 57, 73 (2012).</li>
</ol>

Downloads

Опубліковано

2018-10-05

Як цитувати

Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., & Komarov, F. F. (2018). Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром. Український фізичний журнал, 58(2), 142. https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0142

Номер

Розділ

Тверде тіло

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>