Особливостi перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром шотки
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe58.02.0126Ключові слова:
inhomogeneous Schottky barrier, thermionic emission, siliconАнотація
У роботi експериментально дослiджено прямi та зворотнi вольт-ампернi характеристики структурMo/n-Si з бар’єром Шотки в дiапазонi температур 130–330 К. Виявлено, що при пiдвищеннi температури має мiсце збiльшення висоти бар’єра Шотки та зменшення фактора неiдеальностi. Проведено аналiз отриманих результатiв у рамках моделi неоднорiдного контакту. Визначено середнє значення та стандартне вiдхилення висоти бар’єра Шотки: 0,872 В та 0,099 В при T = 130–220 К i 0,656 В та 0,036 В при T = 230–330 К вiдповiдно. Показано, що при зворотному змiщеннi основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емiсiя через неоднорiдний бар’єр та тунелювання.
Посилання
<li> J.P. Colinge and C.A. Colinge, Physics of Semiconductor Device (Kluwer, Dordrecht, 2002).</li>
<li> V.I. Strikha, Contact Phenomena in Semiconductors (Vyshcha Shkola, Kyiv, 1982) (in Russian).</li>
<li> E. Arslan, S. Altindal, S. Ozcelik, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 105, 023705 (2009). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3068202">CrossRef</a></li>
<li> D. Donoval, A. Chvala, R. Sramaty, J. Kovac, J.-F. Carlin, N. Grandjean, G. Pozzovivo, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Strasser, and P. Kordos, Appl. Phys. Lett. 96, 223501 (2010). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3442486">CrossRef</a></li>
<li> S. Huang et al., Semicond. Sci. Technol. 24, 055005 (2009). <a href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/5/055005">CrossRef</a></li>
<li> V.V. Evstropov, Yu.V. Zhilyaev, M. Dzhumaeva, and N. Nazarov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 152 (1997).</li>
<li> C.H. Lee and K.S. Lim, Appl. Phys. Lett. 75, 569 (1999). <a href="https://doi.org/10.1063/1.124444">CrossRef</a></li>
<li> D.M. Sathaiyaa and S. Karmalkar, J. Appl. Phys. 99, 093701 (2006). <a href="https://doi.org/10.1063/1.2191620">CrossRef</a></li>
<li> J.W.P. Hsu, M.J. Manfra, R.J. Molnar, B. Heying, and J.S. Speck, Appl. Phys. Lett. 81, 79 (2002). <a href="https://doi.org/10.1063/1.1490147">CrossRef</a></li>
<li> J.H. Werner and H.H. Guttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991). <a href="https://doi.org/10.1063/1.347243">CrossRef</a></li>
<li> J.P. Sullivan, R.T.Tung, M.R. Pinto, and W.R. Graham, J. Appl. Phys. 70, 7403 (1991). <a href="https://doi.org/10.1063/1.349737">CrossRef</a></li>
<li> R.T. Tung, Phys. Rev. B 45, 13509 (1992). <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.13509">CrossRef</a></li>
<li> K. Sarpatwari, S.E. Mohney, and O.O. Awadelkarim, J. Appl. Phys. 109, 014510 (2011). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3530868">CrossRef</a></li>
<li> M. Biber, O. Gullu, S. Forment, R.L. Van Meirhaeghe, and A. Turut, Semicond. Sci. Technol. 21, 1 (2006). <a href="https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/1/001">CrossRef</a></li>
<li> I. Tascioglu, U. Aydemir, and S. Altindal, J. Appl. Phys. 108, 064506 (2010). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3468376">CrossRef</a></li>
<li> N. Yildirim, K. Ejderha, and A. Turut, J. Appl. Phys. 108, 114506 (2010). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3517810">CrossRef</a></li>
<li> M. Mamor, J. Phys. Condens. Matter 21, 335802 (2009). <a href="https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/33/335802">CrossRef</a></li>
<li> F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, and V. Raineri, J. Appl. Phys. 102, 113701 (2007). <a href="https://doi.org/10.1063/1.2817647">CrossRef</a></li>
<li> F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett. 90, 092119 (2007). <a href="https://doi.org/10.1063/1.2710770">CrossRef</a></li>
<li> S.K. Cheung and N.W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 49, 85 (1986). <a href="https://doi.org/10.1063/1.97359">CrossRef</a></li>
<li> D. Gromov and V. Pugachevich, Appl. Phys. A 59, 331 (1994). <a href="https://doi.org/10.1007/BF00348239">CrossRef</a></li>
<li> D.K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, Hoboken, NJ, 2006).</li>
<li> S. Zhu, R.L. Van Meirhaeghe, C. Detavernier,G.-P. Ru, B.-Z. Li, and F. Cardon, Solid State Commun. 112, 611 (1999). <a href="https://doi.org/10.1016/S0038-1098(99)00404-4">CrossRef</a></li>
<li> M.O. Aboelfotoh, J. Appl. Phys. 66, 262 (1989). <a href="https://doi.org/10.1063/1.343867">CrossRef</a></li>
<li> V.G. Bozhkov and A.V. Shmargunov, J. Appl. Phys. 109, 113718 (2011). <a href="https://doi.org/10.1063/1.3587233">CrossRef</a></li>
<li> T. Markvart and L. Castaner, Practical Handbook of Photovoltaics. Fundamentals and Application (Elsevier, New York, 2003).</li>
<li> R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen, and W. Monch, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1221 (1997). <a href="https://doi.org/10.1116/1.589442">CrossRef</a></li>
<li> T.P. Chen, T.C. Lee, C.C. Ling, C.D. Beling, and S. Fung, Solid State Electron. 36, 949 (1993). <a href="https://doi.org/10.1016/0038-1101(93)90109-4">CrossRef</a></li>
<li> Y.-L. Jiang, G.-P. Rua, F. Lu, X.-P. Qu, B.-Z. Li, and S. Yang, J. Appl. Phys. 93, 866 (2003). <a href="https://doi.org/10.1063/1.1527714">CrossRef</a></li>
<li> J.M. Andrews and M.P. Lepselter, Solid State Electron. 13, 1011 (1970). <a href="https://doi.org/10.1016/0038-1101(70)90098-5">CrossRef</a></li>
</ol>
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
