Influence of Trap States on the Kinetics of luminescence and Induced Light Absorption by Si Nanoparticles in a SiO2 matrix at their Excitation with Femtosecond Laser Pulses

V. M. Kadan; I. Z. Indutnyi; V. A. Dan’ko; P. E. Shepelyavyi; I. M. Dmitruk; P. I. Korenyuk; I. V. Blonsky

doi:10.15407/ujpe58.01.0020

Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами

Автор(и)

V. M. Kadan Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
I. Z. Indutnyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
V. A. Dan’ko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
P. E. Shepelyavyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
I. M. Dmitruk Taras Shevchenko National University of Kyiv
P. I. Korenyuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
I. V. Blonsky Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.01.0020

Ключові слова:

пастковi стани, наведене поглинання, люкс-iнтенсивностна характеристика, густина енергiї, ефект втоми випромiнювання, ПЗЗ-камера, Оже-процес, збудження-зондування, бiлий суперконтинуум, телеграфоподiбний сигнал

Анотація

Розглянуто нелiнiйностi люкс-iнтенсивностної характеристики власної смуги випромiнювання наночастинок Si, iнкорпорованих в SiO2 матрицю, i залежнiсть часових параметрiв наведеного поглинання вiд густини енергiї збуджуючого фемтосекундного iмпульсу, якi зумовленi дiєю пасткових станiв.

Посилання

<ol>
<li> I.V. Blonsky, M.S. Brodin, A.Yu. Vakhnin, A.Ya. Zhugaevich, V.N. Kadan, A.K. Kadashchuk, and Yu.G. Pikus, Mikrosist. Tekhn. 26, 224 (2003).</li>
<li> D. Kovalev, E. Gross, J. Diener, V. Timoshenko, and M. Fujii, Phys. Status Solidi C 2, 3188 (2005).
 <a href="https://doi.org/10.1002/pssc.200461108">https://doi.org/10.1002/pssc.200461108</a></li>
<li> I.V. Blonsky, M.S. Brodin, A.Yu. Vakhnin, A.Ya. Zhugaevich, V.N. Kadan, and A.K. Kadashchuk, Fiz. Nizk. Temp. 28, 978 (2002).</li>
<li> Al.L. Efros and M. Rozen, Phys. Rev. Lett. 78, 1110 (1997).</li>
<li> I.S. Osad'ko, Chem. Phys. 316, 99 (2005).
 <a href="https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.04.044">https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.04.044</a></li>
<li> I.V. Blonsky, V.M. Kadan, A.K. Kadashchuk, A.Yu. Vakhnin, and A.Ya. Zhugayevych, Int. J. Nanotechnol. 3, 65 (2006).
 <a href="https://doi.org/10.1504/IJNT.2006.008721">https://doi.org/10.1504/IJNT.2006.008721</a></li>
<li> B. Hinds, F. Wang, D. Wolfe, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2171 (1998).
 <a href="https://doi.org/10.1116/1.590302">https://doi.org/10.1116/1.590302</a></li>
<li> V.Ya. Bratus', V.A. Yukhimchuk, L.I. Berezhinskii, M.Ya. Valakh, I.P. Vorona, I.Z. Indutnyi, T.T. Petrenko, P.E. Shepelyavyi, and I.B. Yanchuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 35, 854 (2001).</li>
<li> A. Szekeres, T. Nikolova, A. Paneva, A. Czirakic, Gy.J. Kovacs, I. Lisovskyy, D. Mazunov, I. Indutnyy, and P. Shepeliavyi, Mater. Sci. Eng. B 124-125, 504 (2005).
 <a href="https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.124">https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.124</a></li>
<li> V.A. Dan'ko, I.Z. Indutnyi, V.S. Lysenko, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, and P.E. Shepelyavyi, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1239 (2005).</li>
<li> I.Z. Indutnyi, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi, and V.A. Dan'ko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 1265 (2007).</li>
<li> V.I. Klimov, Ch.J. Schwarz, D.W. McBranch, and C.W. White, Appl. Phys. Lett. 73, 2603 (1998).
 <a href="https://doi.org/10.1063/1.122519">https://doi.org/10.1063/1.122519</a></li>
<li> I.V. Blonsky, I.M. Dmitruk, M.G. Zubrilin, V.M. Kadan, P.I. Korenyuk, I.A. Pavlov, and V.O. Sal'nikov, Nanosyst. Nanomater. Nanotekhnol. 6, 45 (2008).</li>
<li> V.A. Zuev, V.G. Litovchenko, and G.A. Sukach, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 9, 1641 (1975).</li>
<li> I. Mihalcescu, J.C. Vial, A. Bsiesy, F. Muller, R. Romestain, E. Martin, C. Delerue, M. Lannoo, and G. Allan, Phys. Rev. B 51, 17605 (1995).
 <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.17605">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.17605</a></li>
<li> A. Othonos, E. Lioudakis, and A.G. Nassiopoulou, Nanoscale Res. Lett. 3, 315 (2008).
 <a href="https://doi.org/10.1007/s11671-008-9159-8">https://doi.org/10.1007/s11671-008-9159-8</a></li>
<li> J.Z. Zhang, J. Phys. Chem B, 104, 7239 (2000).
 <a href="https://doi.org/10.1021/jp000594s">https://doi.org/10.1021/jp000594s</a></li>
<li> A.L. Stroyuk, A.I. Kryukov, S.Ya. Kuchmii, and V.D. Pokhodenko, Teor. Eksp. Khim. 41, 67 (2005).</li>
<li> S.V. Gaponenko, Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals (Cambridge University Press, Cambridge, 1996).</li>
</ol>

Downloads

Опубліковано

2018-10-05

Як цитувати

Kadan, V. M., Indutnyi, I. Z., Dan’ko, V. A., Shepelyavyi, P. E., Dmitruk, I. M., Korenyuk, P. I., & Blonsky, I. V. (2018). Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами. Український фізичний журнал, 58(1), 20. https://doi.org/10.15407/ujpe58.01.0020

Завантажити посилання

Номер

Том 58 № 1 (2013)

Розділ

Оптика, лазери, квантова електроніка

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.