Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами

Автор(и)

  • V. M. Kadan Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. Z. Indutnyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • V. A. Dan’ko V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • P. E. Shepelyavyi V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. M. Dmitruk Taras Shevchenko National University of Kyiv
  • P. I. Korenyuk Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine
  • I. V. Blonsky Institute of Physics, Nat. Acad. of Sci. of Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe58.01.0020

Ключові слова:

пастковi стани, наведене поглинання, люкс-iнтенсивностна характеристика, густина енергiї, ефект втоми випромiнювання, ПЗЗ-камера, Оже-процес, збудження-зондування, бiлий суперконтинуум, телеграфоподiбний сигнал

Анотація

Розглянуто нелiнiйностi люкс-iнтенсивностної характеристики власної смуги випромiнювання наночастинок Si, iнкорпорованих в SiO2 матрицю, i залежнiсть часових параметрiв наведеного поглинання вiд густини енергiї збуджуючого фемтосекундного iмпульсу, якi зумовленi дiєю пасткових станiв.

Посилання

<ol>
<li> I.V. Blonsky, M.S. Brodin, A.Yu. Vakhnin, A.Ya. Zhugaevich, V.N. Kadan, A.K. Kadashchuk, and Yu.G. Pikus, Mikrosist. Tekhn. 26, 224 (2003).</li>
<li> D. Kovalev, E. Gross, J. Diener, V. Timoshenko, and M. Fujii, Phys. Status Solidi C 2, 3188 (2005).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1002/pssc.200461108">https://doi.org/10.1002/pssc.200461108</a></li>
<li> I.V. Blonsky, M.S. Brodin, A.Yu. Vakhnin, A.Ya. Zhugaevich, V.N. Kadan, and A.K. Kadashchuk, Fiz. Nizk. Temp. 28, 978 (2002).</li>
<li> Al.L. Efros and M. Rozen, Phys. Rev. Lett. 78, 1110 (1997).</li>
<li> I.S. Osad'ko, Chem. Phys. 316, 99 (2005).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.04.044">https://doi.org/10.1016/j.chemphys.2005.04.044</a></li>
<li> I.V. Blonsky, V.M. Kadan, A.K. Kadashchuk, A.Yu. Vakhnin, and A.Ya. Zhugayevych, Int. J. Nanotechnol. 3, 65 (2006).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1504/IJNT.2006.008721">https://doi.org/10.1504/IJNT.2006.008721</a></li>
<li> B. Hinds, F. Wang, D. Wolfe, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2171 (1998).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1116/1.590302">https://doi.org/10.1116/1.590302</a></li>
<li> V.Ya. Bratus', V.A. Yukhimchuk, L.I. Berezhinskii, M.Ya. Valakh, I.P. Vorona, I.Z. Indutnyi, T.T. Petrenko, P.E. Shepelyavyi, and I.B. Yanchuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 35, 854 (2001).</li>
<li> A. Szekeres, T. Nikolova, A. Paneva, A. Czirakic, Gy.J. Kovacs, I. Lisovskyy, D. Mazunov, I. Indutnyy, and P. Shepeliavyi, Mater. Sci. Eng. B 124-125, 504 (2005).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.124">https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.124</a></li>
<li> V.A. Dan'ko, I.Z. Indutnyi, V.S. Lysenko, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, and P.E. Shepelyavyi, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1239 (2005).</li>
<li> I.Z. Indutnyi, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min'ko, P.E. Shepelyavyi, and V.A. Dan'ko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 1265 (2007).</li>
<li> V.I. Klimov, Ch.J. Schwarz, D.W. McBranch, and C.W. White, Appl. Phys. Lett. 73, 2603 (1998).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1063/1.122519">https://doi.org/10.1063/1.122519</a></li>
<li> I.V. Blonsky, I.M. Dmitruk, M.G. Zubrilin, V.M. Kadan, P.I. Korenyuk, I.A. Pavlov, and V.O. Sal'nikov, Nanosyst. Nanomater. Nanotekhnol. 6, 45 (2008).</li>
<li> V.A. Zuev, V.G. Litovchenko, and G.A. Sukach, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 9, 1641 (1975).</li>
<li> I. Mihalcescu, J.C. Vial, A. Bsiesy, F. Muller, R. Romestain, E. Martin, C. Delerue, M. Lannoo, and G. Allan, Phys. Rev. B 51, 17605 (1995).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.17605">https://doi.org/10.1103/PhysRevB.51.17605</a></li>
<li> A. Othonos, E. Lioudakis, and A.G. Nassiopoulou, Nanoscale Res. Lett. 3, 315 (2008).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1007/s11671-008-9159-8">https://doi.org/10.1007/s11671-008-9159-8</a></li>
<li> J.Z. Zhang, J. Phys. Chem B, 104, 7239 (2000).
&nbsp;<a href="https://doi.org/10.1021/jp000594s">https://doi.org/10.1021/jp000594s</a></li>
<li> A.L. Stroyuk, A.I. Kryukov, S.Ya. Kuchmii, and V.D. Pokhodenko, Teor. Eksp. Khim. 41, 67 (2005).</li>
<li> S.V. Gaponenko, Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals (Cambridge University Press, Cambridge, 1996).</li>
</ol>

Опубліковано

2018-10-05

Як цитувати

Kadan, V. M., Indutnyi, I. Z., Dan’ko, V. A., Shepelyavyi, P. E., Dmitruk, I. M., Korenyuk, P. I., & Blonsky, I. V. (2018). Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами. Український фізичний журнал, 58(1), 20. https://doi.org/10.15407/ujpe58.01.0020

Номер

Розділ

Оптика, лазери, квантова електроніка

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають