Спектри рентгенівського і фотолюмінесценції високоомних кристалів ZnSe
DOI:
https://doi.org/10.15407/ujpe63.6.557Ключові слова:
spectra of X-ray luminescence, spectra of photoluminescence, center of recombination, temperature dependences of the spectral position of the maximum and half-width of the band, zinc selenideАнотація
Спектри люмiнесценцiї високоомних кристалiв ZnSe складаються з двох основних смуг з максимумами при 630 нм (1,92 еВ) i 970 нм (1,28 еВ). Проведено порiвняння спектрiв рентгенолюмiнесценцiї i фотолюмiнесценцiї ZnSe мiж собою в спектральної областi вiд 400 до 1200 нм при рiзних iнтенсивностях збудження i при рiзних температурах (8, 85, 295 i 420 К). Встановлено, що форми смуг свiчення не залежать вiд iнтенсивностей збудження. Форма смуги з максимумом при 970 нм також не залежить вiд типу збудження, а смуга 630 нм – трохи вiдрiзняється при рентгенiвському i УФ-збудженнi. Проаналiзовано температурнi спектральнi положення максимумiв смуг i їх пiвширини. Зроблено висновок про елементарностi смуги свiтiння 970 нм. Короткохвильове змiщення спектрального максимуму смуги 630 нм при збiльшеннi температури дозволяє зробити висновок про неелементарнiсть цiєї смуги свiтiння. Це корелює з ранiше виявленою особливiстю цiєї смуги про реалiзацiю двох механiзмiв рекомбiнацiї (електронному та дiрковому) на цьому центрi свiтiння.
Посилання
<li>V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, K. Katrunov, L. Gal'chinetskii. Absolute light yield of ZnSe(Te) and ZnSe(Te,O). Functional Materials 9 (1), 135 (2002).
</li>
<li>A.O. Sofiienko, V.Ya. Degoda. X-ray induced conductivity of ZnSe sensors at high temperatures. Radiation Measurements 47 (1), 27 (2012).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2011.08.017">https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2011.08.017</a>
</li>
<li>M.S. Brodin, V.Ya. Degoda, B.V. Kozhushko, A.O. Sofiienko, V.T. Vesna. Monocrystalline ZnSe as an ionising radiation detector operated over a wide temperature range. Radiation Measurements 65, 36 (2014).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2014.04.016">https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2014.04.016</a>
</li>
<li>V.D. Ryzhikov et al. New semiconductor scintillators ZnSe(Te,O) and integrated radiation detectors based thereon. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48 (1), 356 (2001).
<a href="https://doi.org/10.1109/23.940080">https://doi.org/10.1109/23.940080</a>
</li>
<li>V.M. Koshkin, A.Ya. Dulfan, V.D. Ryzhikov et al. Thermodynamics of isovalent tellurium substitution for selenium in ZnSe semiconductors. J. Functional materials 8 (4), 708 (2001).
</li>
<li>G. Watkins. Defects of Lattice in Compounds A2B6. In: Point Defects of Lattice (Mir, 1979), p. 1150 (in Russian).
</li>
<li>L.V. Atroschenko, L.P. Gal'chinetskii, S.N. Galkin et al. Structure defects and phase transition in tellurium-doped ZnSe crystals. J. Cryst. Growth 197, 475 (1999).
<a href="https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00964-6">https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00964-6</a>
</li>
<li>N.K. Morozova, I.A. Karetnikov, V.V. Blinov, E.M. Gavrishchuk. A study of luminescence centers related to copper and oxygen in ZnSe. Semiconductors 35 (1) 24 (2001).
<a href="https://doi.org/10.1134/1.1340285">https://doi.org/10.1134/1.1340285</a>
</li>
<li>N.K. Morozova, I.A. Karetnikov, V.V. Blinov, E.M. Gavrishchuk. Studies of the infrared luminescence of ZnSe doped with copper and oxygen. Semiconductors 35 (5) 512 (2001).
<a href="https://doi.org/10.1134/1.1371612">https://doi.org/10.1134/1.1371612</a>
</li>
<li> K.K. Rebane. Elementary Theory of the Vibrational Structure of Spectra of Admixture Centers in Crystals (Nauka, 1968) (in Russian).
</li>
<li> A.F. Lubchenko. Quantum Transitions in Admixture Centers in Solids (Naukova Dumka, 1978) (in Russian).
</li>
<li> V.E. Lashkarev, A.V. Lyubchenko, M. Sheinkman. Nonequilibrium Processes in Photoconductors (Naukova Dumka, 1981) (in Russian).
</li>
<li> I.Ya. Gorodetskii, K.K. Dubenskii, V.E. Lashkarev et al. Determination of parameters of recombination centers in ZnSe monocrystals. Fiz. Tekhn. Polupr. 1 (11), 1666 (1967).
</li>
<li> V.Ya. Degoda, N.Yu. Pavlova, G.P. Podust, A.O. Sofiienko. Spectral structure of the X-ray stimulated phosphorescence of monocrystalline ZnSe. Physica B: Condensed Matter. 465, 1 (2015).
<a href="https://doi.org/10.1016/j.physb.2015.02.021">https://doi.org/10.1016/j.physb.2015.02.021</a>
</li>
<li> M. Alizadeh, V.Ya. Degoda, B.V. Kozhushko, N.Yu. Pavlova. Luminescence of dipole-centers in ZnSe crystals. Functional Materials 24 (2), 206 (2017).
<a href="https://doi.org/10.15407/fm24.02.206">https://doi.org/10.15407/fm24.02.206</a></li>
Downloads
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна
Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:
1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.
2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.
3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.
4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.
5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.
6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.
.png){kind=small}
