Parameters of Charge Carrier Traps in ZnSe

V. Ya. Degoda; M. Alizadeh

doi:10.15407/ujpe64.4.300

Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe

Автор(и)

V. Ya. Degoda Taras Shevchenko National University of Kyiv
M. Alizadeh Taras Shevchenko National University of Kyiv

DOI:

https://doi.org/10.15407/ujpe64.4.300

Ключові слова:

пастки для носiїв заряду, центри рекомбiнацiї, центри локалiзацiї, центри делокалiзацiї, селенiд цинку

Анотація

На прикладi кристалiв селенiду цинку (ZnSe) запропонована система визначення основних параметрiв пасток. Спочатку за допомогою фотоелектричних дослiджень, або дослiджень термоемiсiйного струму, або термо- i фототермо-ерс, визначають характер провiдностi (електронний чи дiрковий) в кристалофосфорi при збудженнi. Далi визначаються енергiї термiчної делокалiзацiї електронiв, наприклад, методом послiдовного фракцiйного нагрiвання термостимульованої люмiнесценцiї. При цьому також визначаються частотнi фактори для вiдповiдних пасток. Знаючи ефективну масу електрона легко вираховується ефективна густина станiв електронiв у зонi провiдностi. I в результатi з простого рiвняння можна визначити перерiзи локалiзацiї вiльних електронiв на усi пастки та їх температурнi залежностi.

Посилання

M.V. Fok. Introduction to Luminescence Kinetics of Crystal Phosphors (Nauka, 1964) (in Russian).

V.V. Antonov-Romanovskii. Photoluminescence Kinetics of Crystal Phosphors (Nauka, 1966) (in Russian).

R.H. Bube. Photoconductivity of Solids (Wiley, 1960).

V.E. Lashkarev, A.V. Lyubchenko, M.K. Sheinkman. Nonequilibrium Processes in Photoconductors (Naukova Dumka, 1981) (in Russian).

I.Ya. Gorodetskii, K.K. Dubenskii, V.E. Lashkarev et al. Determination of parameters of recombination centers in ZnSe monocrystals. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 1, 1666 (1967) (in Russian).

A.V. Lyubchenko, M.K. Sheinkman. Determining sticking centers parameters in semiconductors on the temperature dependence of the photocurrent. Ukr. Fiz. Zh. 18, 134 (1973) (in Russian).

D.M. Freik, A.M. Voznyak, T.O. Paraschuk, V.M. Chobanyuk, I.V. Gorychok. Localized states of electrons in semiconductors. II. Experimental methods of research (A review). Fiz. Khim. Tverd. Tila 12, 445 (2011) (in Ukrainian).

A. Chruscinska, H.L. Oczkowski. K.R. Przegietka. The parameters of traps in K-feldpars and the TL bleaching efficiency. Geochronometria 20, 15 (2001).

P.N. Brunkov, A.A. Gutkin, V.V. Chaldyshev, N.N. Bert, S.G. Konnikov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Electron traps in thin layers of the low temperature grown gallium arsenide with As-Sb nanoclusters. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1049 (2005) (in Russian). https://doi.org/10.1134/1.2042589

V.Ya. Degoda, A.F. Gumenyuk, Yu.A. Marazuev. Kinetics of Recombination Luminescence and Conductivity of Crystal Phosphors (Kyiv Nat. Univ. Publ. House, 2016) (in Ukrainian).

I.S. Gorban, A.F. Gumenyuk, V.A. Omel'yanenko. Thermoluminescence and polaron states in barium-sodium niobate crystals. Ukr. Fiz. Zh. 33, 530 (1988) (in Russian).

A.F. Gumenyuk, S.Yu. Kutovyi, O.B. Okhrimenko. Oscillator regularities in the trap energy spectra of CdWO4 crystals. Ukr. Fiz. Zh. 42, 870 (1997) (in Ukrainian).

I.S. Gorban, A.F. Gumenyuk, S.Yu. Kutovyi. Oscillator dependences in trap energies in ZnWO4 crystals. Ukr. Fiz. Zh. 40, 73 (1995) (in Ukrainian).

A.F. Gumenyuk, S.Yu. Kytovyi, M.O. Grebenovich. Oscillatory regularity in the trap activation energies in a-Al2O3 crystals. Funct. Mater. 9, 314 (2002).

G.P. Blinnikov, V.N. Golonzhka, A.F. Gumenyuk. Thermal properties of single crystals CsCdCl3. Opt. Spektrosk. 69, 1054 (1990) (in Russian).

I.S. Gorban, A.F. Gumenyuk, V.Ya. Degoda, S.Yu. Kutovyi. Regularities of the energy spectrums of charge carrier delocalization from traps in YAG. Opt. Spektrosk. 75, 47 (1993) (in Russian).

A.F. Gumenjuk, S.Yu. Kutovyi. Oscillator rule of the trap activation energies in NaCl crystals. Centr. Eur. J. Phys. 1, 307 (2003). https://doi.org/10.2478/BF02476299

A.F. Gumenjuk, S.Yu. Kutovyi. Thermoluminescence studies of undoped LiF crystals. II. The oscillator-like regularity in trap activation energies. Ukr. Fiz. Zh. 50, 1125 (2005) (in Ukrainian).

A. Gumenyuk, S. Kutovyi, V. Pachshenko, O Stanovyi. Oscillator rule in the energy spectrum of traps in KCl and NaI crystals. Ukr. Fiz. Zh. 54, 999 (2009) (in Ukrainian).

D. Curie. Luminescence in Crystals (Wiley, 1963).

I. Tale, J. Rosa. Fractional glow technique spectroscopy of traps in heavily doped AIN:O. Phys. Status Solidi A 86, 319 (1984). https://doi.org/10.1002/pssa.2210860136

H.J. Beaven. A model for thermoluminescence and related phenomena in PbSO4 : Sm. J. Phys. D 21, 181 (1988). https://doi.org/10.1088/0022-3727/21/1/025

I.N. Ogorodnikov, A.V. Porotnikov, A.V. Kruzhalov, V.Yu. Yakovlev. Recombination kinetics in nonlinear defective LiB3O5 crystals. Fiz. Tverd. Tela 40, 1817 (1998) (in Russian). https://doi.org/10.1134/1.1130664

V. Degoda, A. Gumenjuk, N. Pavlova, A. Sofiienko, S. Sulima. Oscillatory regularity of charge carrier trap energy spectra in ZnSe single crystals. Acta Phys. Polon. 129, 304 (2016). https://doi.org/10.12693/APhysPolA.129.304

A.M. Gurvich. Introduction to Physical Chemistry of Crystal Phosphors (Vysshaya Shkola, 1982) (in Russian).

A.M. Gurvich. X-Ray Luminophores and Screens (Energoatomizdat, 1976) (in Russian).

N.A. Anisimov, S.A. Baryshev, A.F. Gomenyuk, I.S. Gorban, V.Ya. Degoda. Energy spectrum of the traps in Y3Al5O12. Zh. Prikl. Spektrosk. 25, 1320 (1976) (in Russian). https://doi.org/10.1007/BF00618687

K.K. Shvarts, Z.A. Grant, T.K. Mezhs, M.M. Grube. Thermoluminescent Dosimetry (Zinatne, 1968) (in Russian).

K.V. Shalimova, Physics of Semiconductors (Energoatomizdat, 1985) (in Russian).

I.S. Gorban, A.F. Gumenyuk, V.Ya. Degoda, T.A. Kuchakova. Thermoluminescence with non-uniform accumulation of the light sum in YAG:Nd3 + crystals. Ukr. Fiz. Zh. 31, 370 (1986) (in Russian).

Downloads

Опубліковано

2019-05-16

Як цитувати

Degoda, V. Y., & Alizadeh, M. (2019). Параметри пасток для носіїв заряду в ZnSe. Український фізичний журнал, 64(4), 300. https://doi.org/10.15407/ujpe64.4.300

Завантажити посилання

Номер

Том 64 № 4 (2019)

Розділ

Напівпровідники і діелектрики

Ліцензія

Ліцензійний Договір
на використання Твору
м. Київ, Україна

Відповідальний автор та співавтори (надалі іменовані як Автор(и)) статті, яку він (вони) подають до Українського фізичного журналу, (надалі іменована як Твір) з одного боку та Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України в особі директора (надалі – Видавець) з іншого боку уклали даний Договір про таке:

1. Предмет договору.
Автор(и) надає(ють) Видавцю безоплатно невиключні права на використання Твору (наукового, технічного або іншого характеру) на умовах, визначених цим Договором.

2. Способи використання Твору.
2.1. Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору таким чином:
2.1.1. Використовувати Твір шляхом його видання в Українському фізичному журналі (далі – Видання) мовою оригіналу та в перекладі на англійську (погоджений Автором(ами) і Видавцем примірник Твору, прийнятого до друку, є невід’ємною частиною Ліцензійного договору).
2.1.2. Переробляти, адаптувати або іншим чином змінювати Твір за погодженням з Автором(ами).
2.1.3. Перекладати Твір у випадку, коли Твір викладений іншою мовою, ніж мова, якою передбачена публікація у Виданні.
2.2. Якщо Автор(и) виявить(лять) бажання використовувати Твір в інший спосіб, як то публікувати перекладену версію Твору (окрім випадку, зазначеного в п. 2.1.3 цього Договору); розміщувати повністю або частково в мережі Інтернет; публікувати Твір в інших, у тому числі іноземних, виданнях; включати Твір як складову частину інших збірників, антологій, енциклопедій тощо, то Автор(и) мають отримати на це письмовий дозвіл від Видавця.

3. Територія використання.
Автор(и) надає(ють) Видавцю право на використання Твору способами, зазначеними у п.п. 2.1.1–2.1.3 цього Договору, на території України, а також право на розповсюдження Твору як невід’ємної складової частини Видання на території України та інших країн шляхом передплати, продажу та безоплатної передачі третій стороні.

4. Строк, на який надаються права.
4.1. Договір є чинним з дати підписання та діє протягом усього часу функціонування Видання.

5. Застереження.
5.1. Автор(и) заявляє(ють), що:
– він/вона є автором (співавтором) Твору;
– авторські права на даний Твір не передані іншій стороні;
– даний Твір не був раніше опублікований і не буде опублікований у будь-якому іншому виданні до публікації його Видавцем (див. також п. 2.2);
– Автор(и) не порушив(ли) права інтелектуальної власності інших осіб. Якщо у Творі наведені матеріали інших осіб за виключенням випадків цитування в обсязі, виправданому науковим, інформаційним або критичним характером Твору, використання таких матеріалів здійснене Автором(ами) з дотриманням норм міжнародного законодавства і законодавства України.

6. Реквізити і підписи сторін.
Видавець: Інститут теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України.
Адреса: м. Київ, вул. Метрологічна 14-б.
Автор: Електронний підпис від імені та за погодження всіх співавторів.