Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 18, Січень 2019 [цит. за 10, Вересень 2026];60(5):458. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019238