Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 18, Січень 2025 [цит. за 11, Вересень 2026];70(1):56. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023463