«Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу». Український фізичний журнал, вип. 62, вип. 4, Грудень 2018, с. 318, https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318.