«Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками». Український фізичний журнал, вип. 56, вип. 4, Лютий 2022, с. 381, https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.