«Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки». Український фізичний журнал, вип. 63, вип. 1, Лютий 2018, с. 33-37, https://doi.org/10.15407/ujpe63.01.0033.