[1]
«Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури», Ukr. J. Phys., вип. 60, вип. 5, с. 458, Січ 2019, doi: 10.15407/ujpe60.05.0458.