«Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу», Ukr. J. Phys., вип. 62, вип. 4, с. 318, Груд 2018, doi: 10.15407/ujpe62.04.0318.