[1]
«Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками», Ukr. J. Phys., вип. 56, вип. 9, с. 940, Лют 2022, doi: 10.15407/ujpe56.9.940.