«Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками», Ukr. J. Phys., вип. 56, вип. 4, с. 381, Лют 2022, doi: 10.15407/ujpe56.4.381.