«Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками» (2022) Український фізичний журнал, 56(4), с. 381. doi:10.15407/ujpe56.4.381.