Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Український фізичний журнал, v. 56, n. 4, p. 381, 14 Лют2022.