Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури. Ukr. J. Phys. 2019;60(5):458. doi:10.15407/ujpe60.05.0458