(1)
Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури. Ukr. J. Phys. 2019, 60 (5), 458. https://doi.org/10.15407/ujpe60.05.0458.