Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу. Ukr. J. Phys. 2018, 62 (4), 318. https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318.