Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Ukr. J. Phys. 2022, 56 (4), 381. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.