[1]
2018. Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу. Український фізичний журнал. 62, 4 (Груд 2018), 318. DOI:https://doi.org/10.15407/ujpe62.04.0318.