[1]
2018. Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах. Український фізичний журнал. 58, 3 (Жов 2018), 260. DOI:https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260.