Strikha, M., і A. Kurchak. «Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу». Український фізичний журнал, вип. 66, вип. 7, Серпень 2021, с. 625, doi:10.15407/ujpe66.7.625.