STRIKHA, M.; KURCHAK, A. Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу. Український фізичний журнал, [S. l.], v. 66, n. 7, p. 625, 2021. DOI: 10.15407/ujpe66.7.625. Disponível em: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020329. Acesso em: 27 лип. 2024.