[1]
Вакуленко, О. et al. 2022. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Український фізичний журнал. 56, 4 (Лют 2022), 381. DOI:https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.