1.
Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 09, Грудень 2018 [цит. за 10, Вересень 2026];63(12):1095. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/uik/article/view/2018178