Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки. Ukr. J. Phys. [інтернет]. 01, Лютий 2018 [цит. за 10, Вересень 2026];63(1):33-7. доступний у: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/uik/article/view/2018035