«Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах». Український фізичний журнал 58, no. 3 (Жовтень 6, 2018): 260. дата звернення Вересень 10, 2026. https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/uik/article/view/2018291.