«Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах». Український фізичний журнал, вип. 58, вип. 3, Жовтень 2018, с. 260, https://doi.org/10.15407/ujpe58.03.0260.