«Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки», Ukr. J. Phys., вип. 63, вип. 1, с. 33–37, Лют 2018, doi: 10.15407/ujpe63.01.0033.